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PMZB350UPE中文资料20 V, single P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMZB350UPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• 1.8 kV ESD protected
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMZB350UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：450
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：645
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：1800
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-1.4
- QGD [typ] (nC)
：0.25
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.3
- Ptot [max] (W)
：0.36
- VGSth [typ] (V)
：-0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：126.99999
- Coss [typ] (pF)
：34
- Release date
：2012-08-24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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