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PMZB150UNE中文资料20 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMZB150UNE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Very fast switching
• Low threshold voltage
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM
• Ultra thin package profile of 0.37 mm
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMZB150UNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：200
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：270
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：1.5
- QGD [typ] (nC)
：0.44
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.6
- Ptot [max] (W)
：0.35
- VGSth [typ] (V)
：0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：93
- Coss [typ] (pF)
：18
- Release date
：2015-03-23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc. |
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