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PMXB56EN	文件：276.48 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Leadless ultra small and thin SMD plastic 文件：276.48 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMXB56EN	文件：317.67 Kbytes Page：14 Pages	丝印：01；Package：SOT1215；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Leadless ultra small and thin SMD p 文件：317.67 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMXB56EN	文件：277.02 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：277.02 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMXB56EN_15	文件：277.02 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：277.02 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMXB56EN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 49 mΩ\n• Very fast switching;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1010D-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
55
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
65
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
3.2
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
3.6000001
Ptot [max] (W)：
0.4
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
209
Coss [typ] (pF)：
50
Release date：
2013-09-23

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