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PMV90EN	文件：486.73 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：486.73 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMV90EN	文件：1.0457 Mbytes Page：16 Pages	丝印：EC%；Package：TO-236AB；30 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：1.0457 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV90EN	文件：472.12 Kbytes Page：3 Pages	30 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：472.12 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV90ENE	文件：724.63 Kbytes Page：16 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：724.63 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV90EN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, single N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMV90ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV90EN,215	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23	恩XP	恩XP

技术参数

Package name：
TO-236AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
72
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
100
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.7
Q_GD [typ] (nC)：
0.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
3.6
P_tot [max] (W)：
0.46
V_GSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
160
C_oss [typ] (pF)：
33
Date：
2016-04-20

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