PMV90ENE中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMV90ENE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic level compatible
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMV90ENE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TO-236AB
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：72
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：100
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：3.7
- Q_GD [typ] (nC)
：0.7
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：3.6
- P_tot [max] (W)
：0.46
- V_GSth [typ] (V)
：1.5
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：160
- C_oss [typ] (pF)
：33
- Date
：2016-04-20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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