PMV65XP数据手册Nexperia中文资料规格书
PMV65XP规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Low on-state resistance
• Trench MOSFET technology
应用 Application
• Low power DC-to-DC converters
• Load switching
• Battery management
• Battery powered portable equipment
技术参数
- 制造商编号
：PMV65XP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：74
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：92
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-4.3
- QGD [typ] (nC)
：1.65
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：7.7
- Ptot [max] (W)
：0.48
- VGSth [typ] (V)
：-0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：744
- Coss [typ] (pF)
：65
- Release date
：2011-01-24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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