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PMV88ENE	文件：270.21 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5E；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：270.21 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV88ENEA	文件：271.49 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HT；Package：TO-236AB；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：271.49 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV88ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV88ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
117
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
146
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
2.2
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
4
Ptot [max] (W)：
0.615
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
196
Coss [typ] (pF)：
24
Release date：
2021-11-29

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深圳市南科功率半导体有限公司	PMV88ENE	NK/南科功率	2025+	SOT23	986966	国产	询价
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更多PMV88ENE供应商更新时间2025-10-11 14:01:00

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