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PMV52ENE	文件：268.5 Kbytes Page：15 Pages	丝印：4E；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：268.5 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV52ENEA	文件：269.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HQ；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFE 文件：269.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV52ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C);	Nexperia 安世	Nexperia
PMV52ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
70
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
100
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
3.2
QGD [typ] (nC)：
0.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
2.2
Ptot [max] (W)：
0.63
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
100
Coss [typ] (pF)：
29.999998
Release date：
2021-11-29

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深圳市南科功率半导体有限公司	PMV52ENE	NK/南科功率	2025+	SOT23	986966	国产	询价
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更多PMV52ENE供应商更新时间2025-10-12 14:00:00

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