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PMV50XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (Class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV50XNEA	文件：282.25 Kbytes Page：15 Pages	丝印：XJ；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：282.25 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV50XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOSFET	SXSEMI 瞬芯	SXSEMI
PMV55ENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	NEXPERIA 安世上传：深圳市恒诺芯科技有限公司	NEXPERIA
PMV65XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
60
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
102
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
3.4
QGD [typ] (nC)：
1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.3
Ptot [max] (W)：
0.59
Qr [typ] (nC)：
1
VGSth [typ] (V)：
0.9
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
296
Coss [typ] (pF)：
28
Release date：
2021-01-26

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