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PMV37EN2	文件：670.97 Kbytes Page：16 Pages	丝印：K7；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：670.97 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV37EN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• Enhanced power dissipation capability of 1115 mW;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV37EN2_15	文件：498.69 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：498.69 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMV55ENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	NEXPERIA 安世上传：深圳市恒诺芯科技有限公司	NEXPERIA
PMV65XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP

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更多PMV37EN2供应商更新时间2025-12-3 15:28:00