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PMV37EN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET; • Logic level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• Enhanced power dissipation capability of 1115 mW\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMV37EN2	文件：670.97 Kbytes Page：16 Pages	Marking：K7；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PMV37EN2

文件：300 bytes

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30 V, N-channel Trench MOSFET; • Logic level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• Enhanced power dissipation capability of 1115 mW\n;

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

安世安世半导体(中国)有限公司

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PMV37EN2

文件：670.97 Kbytes

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Marking：K7；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMV37EN2_15

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Page：15 Pages

30 V, N-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
36
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
47
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5.6
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
3.6000001
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
1.5
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
209
Coss [typ] (pF)：
50
Release date：
2014-05-28

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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