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PMV30XPA	文件：285.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HH；Package：SOT23；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：285.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30XPA	文件：286.18 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：286.18 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30XPA_V01	文件：286.18 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：286.18 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30XPAR	文件：286.18 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：286.18 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV30XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
38
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
62
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
-4.9
QGD [typ] (nC)：
3.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
11
Ptot [max] (W)：
0.61
Qr [typ] (nC)：
3
VGSth [typ] (V)：
-0.95
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1039
Coss [typ] (pF)：
124.00001
Release date：
2020-01-07

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