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PMV30XPAR	文件：286.18 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：286.18 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV55ENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	NEXPERIA 安世上传：深圳市恒诺芯科技有限公司	NEXPERIA
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PMW3901MB-TXQT	文件：0 bytes Page：0 Pages	模组	PIXART 原相科技上传：深圳市浩睿泽电子科技有限公司	PIXART
PMXB40UNE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-1215	恩XP 上传：深圳南芯电子技术有限公司	恩XP

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更多PMV30XPAR供应商更新时间2026-1-30 13:28:00