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PMV20XN	文件：475.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：475.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMV20XN	文件：933.34 Kbytes Page：17 Pages	丝印：KW；Package：SOT23；30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Low threshold voltage  Very fast switching  Trench MOSFET technology 1.3 A 文件：933.34 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV20XN	文件：819.67 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET 文件：819.67 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI
PMV20XN	文件：447.29 Kbytes Page：4 Pages	30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET 文件：447.29 Kbytes 页数：4 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
PMV20XNE	文件：720.56 Kbytes Page：15 Pages	丝印：G9；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：720.56 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV20XNE_15	文件：258.41 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 文件：258.41 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV20XNEA	文件：725.47 Kbytes Page：16 Pages	丝印：DT；Package：TO-236AB；20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：725.47 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV20XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
PMV20XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 4.8 A N-channel Trench MOSFET	恩XP	恩XP
PMV20XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
23
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
30
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
7.2
QGD [typ] (nC)：
2.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.400001
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1150
Coss [typ] (pF)：
110
Release date：
2014-11-10

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