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PMV13XNEA	文件：291.79 Kbytes Page：15 Pages	丝印：XQ；Package：SOT23；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：291.79 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV13XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV55ENEAR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	NEXPERIA 安世上传：深圳市恒诺芯科技有限公司	NEXPERIA
PMV65XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	恩XP 上传：深圳市乐创天科技有限公司	恩XP
PMW3901MB-TXQT	文件：0 bytes Page：0 Pages	模组	PIXART 原相科技上传：深圳市浩睿泽电子科技有限公司	PIXART

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
17
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
25
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
7.3
QGD [typ] (nC)：
2.9
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
9.8
Ptot [max] (W)：
0.61
Qr [typ] (nC)：
3
VGSth [typ] (V)：
0.95
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
931
Coss [typ] (pF)：
144
Release date：
2021-02-16

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