PMPB43XPE中文资料20 V, single P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMPB43XPE规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• 1 kV ESD protected
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portable devices
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMPB43XPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：-20
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：48
- R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)
：59
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：-5
- Q_GD [typ] (nC)
：3.4
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：15.6
- P_tot [max] (W)
：1.7
- V_GSth [typ] (V)
：-0.68
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：1550
- C_oss [typ] (pF)
：142
- Date
：2012-11-30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
3500 |
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Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1220 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
原装 |
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NEXPERIA/安世 |
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DFN2020MD-6 |
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恩XP |
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DFN6 |
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恩XP |
原厂封装 |
9800 |
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NEXPERIA/安世 |
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DFN2020MD-6 |
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恩XP |
23+ |
DFN2020 |
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询价 |
