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PMPB29XPEAX	文件：283.67 Kbytes Page：14 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：283.67 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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