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PMPB29XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 500 V HBM (class H1B)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB29XNEA	文件：293.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4H；Package：SOT1220；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：293.33 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB29XNEAX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
33
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
40
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
5
QGD [typ] (nC)：
2.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.400001
Ptot [max] (W)：
1.7
Qr [typ] (nC)：
2
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1150
Coss [typ] (pF)：
110
Release date：
2018-09-10

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