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PMPB19XP	文件：750.88 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1R；Package：DFN2020MD-6；20 V, single P-channel Trench MOSFET 文件：750.88 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB19XP_15	文件：254.59 Kbytes Page：14 Pages	PMPB19XP_15 文件：254.59 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMPB19XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, single P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM/罗姆 2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆
PMR100HZPFU5L00	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHM/罗姆 2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMPB19XP供应商更新时间2025-10-9 9:05:00