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PMPB14XP	文件：345.99 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5B；Package：SOT1220；12 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：345.99 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMPB14XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n • Low threshold voltage\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB15XP	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN	恩XP 上传：深圳市中远芯科技有限公司	恩XP
PMPB55ENEAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMR100HZPFU10L0	文件：0 bytes Page：0 Pages	2512	ROHM/罗姆上传：佛山市芯光达科技有限公司	ROHM/罗姆

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-12
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
19
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
25
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-12.7
QGD [typ] (nC)：
5.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
22
Ptot [max] (W)：
1.8
VGSth [typ] (V)：
-0.68
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2303
Coss [typ] (pF)：
482
Release date：
2018-07-03

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