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PMN120ENE	文件：270.58 Kbytes Page：15 Pages	丝印：3K；Package：SOT457；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Logic-level compatible • Very fast switching • Electr 文件：270.58 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN120ENEA	文件：278.64 Kbytes Page：15 Pages	丝印：J5；Package：TSOP6；60 V, N-channel Trench MOSFET 文件：278.64 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN120ENE	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMN120ENEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT457
Package name：
TSOP6
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
123
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
146
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.1
Q_GD [typ] (nC)：
1.1
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
5.9
P_tot [max] (W)：
0.5700000000000001
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
275
C_oss [typ] (pF)：
24
Date：
2017-12-18

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