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PMN120ENE	文件：270.58 Kbytes Page：15 Pages	Marking：3K；Package：SOT457；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Electr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN120ENEA	文件：278.64 Kbytes Page：15 Pages	Marking：J5；Package：TSOP6；60 V, N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PM-OM120	文件：159.88 Kbytes Page：5 Pages	COMMONMODELINECHOKES	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PMP120	文件：574.36 Kbytes Page：2 Pages	96-120WATTSSINGLEOUTPUTAC/DCMEDICAL-PRELIMINARY	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
PM-T120	文件：137.83 Kbytes Page：5 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIDUAL&SINGLECORETHRU-HOLETRANSORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PM-T120E	文件：137.83 Kbytes Page：5 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIDUAL&SINGLECORETHRU-HOLETRANSORMERS	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PMV120ENEA	文件：733.04 Kbytes Page：16 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMXB120EPE	文件：734.15 Kbytes Page：15 Pages	30V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Leadlessultrasmallandultrathi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNZ120S	文件：102.52 Kbytes Page：3 Pages	Foropticalcontrolsystems	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
PO120	文件：51.98 Kbytes Page：2 Pages	75,100and120AmpereBridgesoProvides0.40C/WJunction-to-Case,ThermalResistance 75,100and120AmpereBridgesProvides0.40°C/WJunction-to-Case,ThermalResistance	edi Electronic devices inc.	edi

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更多PMN120ENE供应商更新时间2025-7-23 10:25:00

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