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PMN120ENE中文资料安世数据手册PDF规格书

PMN120ENE
厂商型号

PMN120ENE

功能描述

60 V, N-channel Trench MOSFET

丝印标识

3K

封装外壳

SOT457

文件大小

270.58 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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PMN120ENE规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Logic-level compatible

• Very fast switching

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side loadswitch

• Switching circuits

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