PMMT591A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PMMT591A |
| 参数属性 | PMMT591A 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 1A TO236AB |
| 功能描述 | PNP BISS transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
42.68 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-17 22:59:00 |
| 人工找货 | PMMT591A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PMMT591A规格书详情
DESCRIPTION
PNP BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMMT491A.
FEATURES
• High current (max. 1 A)
• Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption.
APPLICATIONS
• Battery powered units where high current and low power consumption are important.
产品属性
- 产品编号：
PMMT591A,235
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PNP 40V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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