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PMK35EP	文件：313.69 Kbytes Page：12 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. Features and benefits ■ Low c 文件：313.69 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PMK35EP	文件：869.23 Kbytes Page：12 Pages	P-channel TrenchMOS extremely low level FET 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefit 文件：869.23 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMK35EP	文件：1.00117 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00117 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PMK35EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	PMK35EP - P-channel TrenchMOS extremely low level FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET - Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Low conduction losses due to low on-state resistance;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
P
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
-30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
19
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
35
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
-14.9
Q_GD [typ] (nC)：
6
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
42
P_tot [max] (W)：
6.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2100
C_oss [typ] (pF)：
365
Date：
2010-09-02

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