PMK35EP中文资料PMK35EP - P-channel TrenchMOS extremely low level FET 数据手册Nexperia规格书
PMK35EP规格书详情
描述 Description
P-channel TrenchMOS extremely low level FET - Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·Low conduction losses due to low on-state resistance
应用 Application
·Battery management
·Load switching
技术参数
- 制造商编号
：PMK35EP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：-30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：19
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：35
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：-14.9
- Q_GD [typ] (nC)
：6
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：42
- P_tot [max] (W)
：6.9
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：2100
- C_oss [typ] (pF)
：365
- Date
：2010-09-02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2023+ |
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恩XP |
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