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PMH260UNE	文件：273.89 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0001；Package：SOT8001；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te 文件：273.89 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMH260UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection up to 1.8 kV HBM\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 0.62 × 0.62 × 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
PML260SN	文件：87.35 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a surface-mounted plastic package using TrenchMOS technology. Features Standard level threshold Low profile and small footprint Very low thermal impedance Low on-state resistance 文件：87.35 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
PML260SN	文件：209.63 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a surface-mounted plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features 1.3 Applications n Standard level threshold n Low profile and small footprint n Very low thermal impedance n Low on-st 文件：209.63 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PRCP-MSMF260	文件：1.74614 Mbytes Page：6 Pages	Polymer Resettable Circuit Protectors 文件：1.74614 Mbytes 页数：6 Pages	COPAL 尼得科	COPAL

技术参数

Package name：
DFN0606-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
310
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
420
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1800
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1.2
QGD [typ] (nC)：
0.18
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.63
Ptot [max] (W)：
0.36
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
41
Coss [typ] (pF)：
10
Release date：
2020-04-07

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