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PMF04N100T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Potens 博盛半导体	Potens
SK04N100B-TF	文件：1.19109 Mbytes Page：8 Pages	1000V N-ch Planar MOSFET 文件：1.19109 Mbytes 页数：8 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
CEB04N100	文件：497.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：497.84 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
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技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
1000
VGS(V)：
±30
Vth(V)：
2/ - /4
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
4200/5500
Ciss(pF)：
955
Coss(pF)：
80
Crss(pF)：
13
Qg(nC)_10V：
25
Qgs(nC)：
4.8
Qgd(nC)：
10.2
EAS (mJ)：
17.8
ID(A)_Tc=25℃：
4
ID(A)_Tc=100℃：
2.22
PD(W)_Tc=25℃：
38.7
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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