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PMEG2010BER	文件：282 Kbytes Page：13 Pages	丝印：B6；Package：CFP3；20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010BER	文件：300 bytes Page：1 Pages	1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier; • Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A\n• Reverse voltage: VR ≤ 20 V\n• Low forward voltage\n• High power capability due to clip-bond technology\n• AEC-Q101 qualified\n• Small and flat lead SMD plastic package\n• Capable for reflow and wave soldering\n; Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMEG2010BER	文件：97.56 Kbytes Page：13 Pages	1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier	ETC	ETC
PMEG2010BER-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier; • Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A\n• Reverse voltage: VR ≤ 20 V\n• Low forward voltage\n• High power capability due to clip-bond technology\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications\n• Small and flat lead SMD plastic package\n• Suitable for both reflow and wave soldering\n; Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMEG2010BER-Q	文件：260.11 Kbytes Page：13 Pages	丝印：B6；Package：CFP3；20 V, 1 A low Vf Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010BER_15	文件：97.56 Kbytes Page：13 Pages	1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PMEG2010BER,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123W；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W	ETC	ETC
PMEG2010BER-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123W；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W	ETC	ETC

技术参数

Package name：
CFP3
Size (mm)：
2.6 x 1.7 x 1
VR [max] (V)：
20
IF [max] (A)：
1
Number of functions：
single
Configuration：
single
VF [typ] @25 C (mV)：
395
VF [max] @25 C (mV)：
450
IR [typ] @25 C (µA)：
8
IR [max] @25 C (µA)：
50
Cd [max] (pF)：
185
Automotive qualified：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PMEG2010BER	恩XP	23+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市利加科技有限公司	PMEG2010BER	恩XP	16+	NA	8800	诚信经营	询价
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