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PMEG2010BER-Q	文件：260.11 Kbytes Page：13 Pages	Marking：B6；Package：CFP3；20 V, 1 A low Vf Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010BER-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123W；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMEG2010BEV	文件：85.1 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010BEV	文件：187.85 Kbytes Page：8 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010BEV	文件：164.64 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltages:20V,30V,40V •Verylowforwardvoltage •UltrasmallandverysmallplasticSMDpackage •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •HighefficiencyDC-to-DCconversion •Voltageclamping •Protectioncircuits •Lowvolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EA	文件：57.12 Kbytes Page：7 Pages	LowVF(MEGA)Schottkybarrierdiode	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EA	文件：57.91 Kbytes Page：8 Pages	20V,1AultralowVFMEGASchottkybarrierrectifierinSOD523package DESCRIPTION PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Forwardcurrent:1.0A •Reversevoltage:20V •Ultralowforwardvolt	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG2010EA	文件：271.13 Kbytes Page：8 Pages	LowVF(MEGA)Schottkybarrierdiode FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltage:20V •Ultrahigh-speedswitching •Verylowforwardvoltage •VerysmallplasticSMDpackage. APPLICATIONS •Ultrahigh-speedswitching •Voltageclamping •Protectioncircuits. DESCRIPTION PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(ME	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EA-Q	文件：186.13 Kbytes Page：8 Pages	20V,1AlowVFSchottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedina SOD323(SC-76)verysmallSMDplasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:1A •Reversevoltage:20V •Ultrahigh-speedswitching •Verylowforwar	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG2010EH	文件：75.62 Kbytes Page：12 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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