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PMEG10020AELP-Q	文件：262.12 Kbytes Page：13 Pages	Marking：DM；Package：CFP5；100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤2A •Reversevoltage:VR≤1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020AELP-QX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTT 100V 2A SOD128/CFP5	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMEG10020AELR	文件：237.87 Kbytes Page：15 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020AELR-Q	文件：265.78 Kbytes Page：14 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤2A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020ELR	文件：238.13 Kbytes Page：15 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG10020ELR-Q	文件：266.4 Kbytes Page：14 Pages	100V,2AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤2A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PTC10020	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTF10020	文件：313.72 Kbytes Page：6 Pages	125Watts,860-960MHzGOLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTF10020isaninternallymatched,125WattLDMOSFETintendedforlargesignalamplifierapplicationsfrom860to960MHz.Nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationensureexcellentdevicelifetimeandreliability. •INTERNALLYMATCHED •Performanceat960MHz,28Vol	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
PWR10020S	文件：220.12 Kbytes Page：1 Pages	ShuntResistor	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
PXU10020	文件：564.56 Kbytes Page：3 Pages	PXUPIDController	REDLION Red Lion Controls. Inc	REDLION

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