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PMDXB600UNE	文件：734.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：00；Package：SOT1216；20 V, dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Leadless ultra small and ultr 文件：734.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDXB600UNE	文件：258.899 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：258.899 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMDXB600UNEZ	文件：734.63 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET 1. General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Leadless ultra small and ultr 文件：734.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDXB600UNE_15	文件：257.2 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：257.2 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMDXB600UNEL	文件：741.34 Kbytes Page：16 Pages	丝印：C001；Package：DFN1010B-6；20 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：741.34 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDXB600UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon = 470 mΩ;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDXB600UNEL	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low leakage current\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon =470mΩ;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN1010B-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
620
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
850
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.6
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.4
Ptot [max] (W)：
0.265
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
21.3
Coss [typ] (pF)：
5.4
Release date：
2013-09-16

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