PMDPB58UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

厂商型号	PMDPB58UPE
功能描述	20 V dual P-channel Trench MOSFET
丝印标识	2A
封装外壳	SOT1118
文件大小	707.4 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved
中文名称	安世安世半导体(中国)有限公司
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更新时间	2025-10-12 16:10:00
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1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

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