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PMDPB58UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

PMDPB58UPE
厂商型号

PMDPB58UPE

功能描述

20 V dual P-channel Trench MOSFET

丝印标识

2A

封装外壳

SOT1118

文件大小

707.4 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 20:00:00

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PMDPB58UPE规格书详情

1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• High-side load switch

• Switching circuits

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