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PMDPB58UPE

20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMDPB58UPE

20 V dual P-channel Trench MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

PMDPB58UPE_15

20 V dual P-channel Trench MOSFET

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更多PMDPB58UPE供应商 更新时间2024-5-15 16:16:00