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PMDPB58UPE	文件：707.4 Kbytes Page：14 Pages	Marking：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB58UPE_15	文件：880.79 Kbytes Page：15 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PMDPB58UPE

文件：707.4 Kbytes

Page：14 Pages

Marking：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMDPB58UPE_15

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20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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