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PMDPB58UPE	文件：707.4 Kbytes Page：14 Pages	丝印：2A；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET 1. General description Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching 文件：707.4 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB58UPE	文件：880.79 Kbytes Page：15 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET 文件：880.79 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PMDPB58UPE_15	文件：880.79 Kbytes Page：15 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET 文件：880.79 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMDPB58UPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection;	Nexperia 安世	Nexperia

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