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PMD1601K	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PMD1601K	文件：60.43 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：60.43 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PMD1601K	文件：215.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor DESCRIPTION • High DC current gain • Collector-Emitter Breakdown Voltage - V(BR)CEO= 60V(Min) • Complement to type PMD1701K APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications 文件：215.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PMD1601K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington	Central	Central

技术参数

Case：
TO-3
Configuration/ Description：
NPN Darlington
Polarity：
NPN
IC MAX：
20A
PD MAX：
180W
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
750
hFE MAX：
20000
@VCE：
3V
VCE(SAT) MAX：
2V
@IC：
10A
@IB：
40mA
Cob MAX：
400pF
fT MIN：
4MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMD1601K供应商更新时间2025-10-4 16:01:00

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