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PMBT4401YS	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V, 600 mA, double NPN switching transistor Double NPN switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n Double PNP complement: PMBT4403YS • Double general-purpose switching transistor\n• High current (max. 600 mA)\n• Voltage max. 40 V\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMBT4401YS	文件：700.72 Kbytes Page：15 Pages	丝印：BG；Package：TSSOP6；40 V, 600 mA, double NPN switching transistor General description Double NPN switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Double PNP complement: PMBT4403YS Features and benefits • Double general-purpose switching transistor • High current (max. 600 mA) • Voltage max. 40 V • AEC-Q101 文件：700.72 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT4401YSX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMCM4401UNE	文件：269.75 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：269.75 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMCM4401UPE	文件：721.59 Kbytes Page：16 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：721.59 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMCM4401VNE	文件：729.01 Kbytes Page：15 Pages	12V, N-channel Trench MOSFET 文件：729.01 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
TSSOP6
Size (mm)：
2.1 x 1.25 x 0.95
Polarity：
NPN
VCEO [max] (V)：
40
IC [max] (mA)：
600
hFE [max]：
300
hFE [min]：
100
fT [min] (MHz)：
250
toff (ns)：
250
Complement：
PMBT4403YS
Ptot [max] (mW)：
250

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