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PMBT4401,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT4401YS	文件：700.72 Kbytes Page：15 Pages	40 V, 600 mA, double NPN switching transistor General description Double NPN switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Double PNP complement: PMBT4403YS Features and benefits • Double general-purpose switching transistor • High current (max. 600 mA) • Voltage max. 40 V • AEC-Q101 文件：700.72 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMCM4401UNE	文件：269.75 Kbytes Page：15 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 文件：269.75 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMCM4401UPE	文件：721.59 Kbytes Page：16 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：721.59 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PMBT4401,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
750mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMBT4401,235供应商更新时间2025-10-6 8:11:00

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