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PZT3906	文件：1.80714 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3904 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3906	文件：1.12127 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3904 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT3906	文件：819.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3904	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT3906	文件：654.29 Kbytes Page：10 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3906	文件：179.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT3906-C	文件：224.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBT3906	文件：247.1 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3904	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT3906	文件：189.63 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
SBT3906	文件：52.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3904	AUK AUK corp	AUK
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详细参数

型号：
PMBT3906M
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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