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PXT3906	文件：1.5286 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplimenttoPXT3904 Lowcurrent Lowvoltage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PXT3906	文件：167.99 Kbytes Page：4 Pages	PNPSwitchingTransistor FEATURES ●Highcurrent(max.600mA). ●Lowvoltage(max.40V). ●Complement:PXT3904. APPLICATIONS ●High-speedsaturatedswitchingamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
PZT3906	文件：98.63 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3906	文件：49.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10mAto100mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT3906	文件：815.61 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description ThePZT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT3906	文件：46.84 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR SMALLSIGNALPNPTRANSISTOR ■SILICONEPITAXIALPLANARPNP TRANSISTOR ■SOT-223PLASTICPACKAGEFOR SURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THENPNCOMPLEMENTARYTYPEIS PZT3904 APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORSMDMOTHER BOARDASSEMBLY ■SMALLLOADSWITCHTRANSI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PZT3906	文件：48.03 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplement:PZT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •High-speedswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZT3906	文件：119.28 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconSwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistor ●HighDCcurrentgain0.1mAto100mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:PZT3904(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT3906	文件：689.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features •PackageSOT-223 Applications: •Switching •Amplification	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT3906	文件：1.80714 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3904 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
PMBT3906,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A TO236AB

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