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PZT3904	文件：225.85 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：1.03267 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SurfaceMountSOT-223Package •LowVoltageandLowCurrent •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:ZT3904	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PZT3904	文件：1.64227 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoTPPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PZT3904-C	文件：356.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S3904	文件：245.5 Kbytes Page：6 Pages	NMOSlinearimagesensorCurrentoutput,highUVsensitivity,excellentlinearity,lowpowerconsumption	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S3904	文件：240.94 Kbytes Page：6 Pages	NMOSLinearimagesensor	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
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SBT3904	文件：51.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3906	AUK AUK corp	AUK
SBT3904	文件：54.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK

详细参数

型号：
PMBT3904YS
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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