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PZT3904	文件：1.03267 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •SurfaceMountSOT-223Package •LowVoltageandLowCurrent •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:ZT3904	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PZT3904	文件：1.64227 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoTPPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PZT3904-C	文件：356.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication •LowVoltageandLowCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S3904	文件：245.5 Kbytes Page：6 Pages	NMOSlinearimagesensorCurrentoutput,highUVsensitivity,excellentlinearity,lowpowerconsumption	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S3904	文件：240.94 Kbytes Page：6 Pages	NMOSLinearimagesensor	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
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SBT3904	文件：234.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalsmallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Collectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithSBT3906	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

详细参数

型号：
PMBT3904M
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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