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PZT3904	文件：124.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor ●HighDCcurrentgain0.1mAto100mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:PZT3906(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
PZT3904	文件：48.66 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:PZT3906(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PZT3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PZT3904	文件：257.98 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：1.78424 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVoltageandLowCurrent ComplementarytoPZT3906 GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT3904	文件：432.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNbipolarTransistor Applications: ●generalamplify ●switchingapplication.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT3904	文件：1.15035 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT3904	文件：700.7 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3906	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT3904	文件：160.3 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT3904	文件：225.85 Kbytes Page：1 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltageandLowCurrent ●ComplementarytoPZT3906 ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
PMBT3904M
功能描述：
两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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