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PM9926	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应晶体管	PNsilicon 智晶半导体	PNsilicon
RM9926	文件：207.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =20V,ID =6A RDS(ON) 文件：207.86 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SDM9926	文件：571.14 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FETURES ● Surface Mount Package. ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. 文件：571.14 Kbytes 页数：8 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
SDM9926	文件：984.02 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：984.02 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Vds(V)：
20
Vgs(±V)：
12
Id(A)：
6
Vgs(th)(typ V)：
0.75
Rds(on)(mΩ typ) @Vgs=4.5V：
24
Rds(on)(mΩ typ) @Vgs=2.5V：
32
Package：
SOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PM9926供应商更新时间2026-1-17 15:18:00

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