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BA591WS	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	BANDSWITCHINGDIODE Features •VerysmallplasticSMDpackage •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Smallinductance	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BF591	文件：49 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.150mA) •Highvoltage(max.210V). APPLICATIONS •Telephonesystems.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG591	文件：106.7 Kbytes Page：12 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplastic,4-pinSOT223package. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS IntendedforapplicationsintheGHzrange	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG591	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ591	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ591	文件：87.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFQ591	文件：263.58 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：72.36 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：148.5 Kbytes Page：4 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFQ591	文件：251.8 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNwidebandtransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS IntendedforapplicationsintheGHzrangesuchasMATV orCATVamplifiersandR	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C591	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CL-591S	文件：94.18 Kbytes Page：1 Pages	LEDForFlashLightSource LEDForFlashLightSource ●Highoutputtypewithreflectorequipped.	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
CMLT591E	文件：90.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPLowVCE(Sat)1.0Amptransistor DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT591EisaPNPLowVCE(SAT)1.0Amptransistor,epoxymoldedinaspacesavingSOT-563surfacemountpackageanddesignedforapplicationsrequiringahighcurrentcapabilityandlowsaturationvoltages. MARKINGCODE:L59	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMMT591	文件：137.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPtransistor	CDIL CDIL	CDIL
CMMT591	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
CMMT591A	文件：196.6 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR ComplementaryCMMT491A	CDIL CDIL	CDIL
CMPT591	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT591E	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP591	文件：209.49 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl-	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP591V	文件：213.29 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
PM591CE
制造商：
ARTESYN
制造商全称：
Artesyn Technologies
功能描述：
Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	PM591CE	ARTESYN	18+	MODULE	2180	公司大量全新正品随时可以发货	询价
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深圳市纽联电子有限公司	PM5926107	MURATA/村田	GRM36CK0R5B50Z500/TZ	F1G1HR50A561 GRM1554	200000	全新原装现货样品可售	询价
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