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TA8119P	文件：402.2 Kbytes Page：10 Pages	STEREOHEADPHONEAMPLIFIER(3VUSE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) •Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8130TAandµPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalµPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：720.1 Kbytes Page：4 Pages	NECsVARIABLEGAINAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8119T	文件：40.87 Kbytes Page：3 Pages	1.9GHzAGCAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTC8119	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UZ8119	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
PM-8119
制造商：
PMI
制造商全称：
PMI
功能描述：
T1/CEPT QUAD PORT SMD ISOLATION TRANSFORMERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒佳微电子有限公司	PM-8119	PREMIERMAG	2021+	DIP/SOP	16500	十年专营原装现货,假一赔十	询价
深圳市凌锐智能科技有限公司	PM8120B-F3EI	MICROCHIP	25+	SMT	15000	原装正品长期现货	询价
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深圳市祥瑞智科技有限公司	PM-8150A-1-FOWPSP177-MT-02-1	QUALCOMM	25+	QFN	3794	原厂原装,价格优势	询价
深圳市源泽芯电子有限公司	PM-8150A-1-FOWPSP177-MT-02-1	QUALCOMM/高通	20+	BGA	1000	进口原装现货假一赔万力挺实单	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	PM-8150A-1-FOWPSP177-MT-02-1	QUALCOMM/高通	22+	BGA	18000	原装正品	询价

更多PM-8119供应商更新时间2025-7-25 16:50:00

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