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PK615CA	文件：557.74 Kbytes Page：9 Pages	N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Pb−Free, Halogen Free and RoHS compliant. • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. • Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications • Protection Circuits Applications. • Logic/Load Switch Circuits Applications. • DC Motor 文件：557.74 Kbytes 页数：9 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK60	文件：50.07 Kbytes Page：2 Pages	MINIBRIDGE 10 AMPERES SINGLE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING 文件：50.07 Kbytes 页数：2 Pages	EDI	EDI
PK600BA	文件：334.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：334.12 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK600BA	文件：780.71 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：780.71 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK601CA	文件：1.14812 Mbytes Page：11 Pages	N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.14812 Mbytes 页数：11 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK601CA	文件：577.6 Kbytes Page：7 Pages	N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：577.6 Kbytes 页数：7 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK6-050	文件：1.71381 Mbytes Page：12 Pages	Rugged and Sealed (IP68) Plugs and Receptacles 文件：1.71381 Mbytes 页数：12 Pages	APP	APP
PK6-050B04	文件：1.71381 Mbytes Page：12 Pages	Rugged and Sealed (IP68) Plugs and Receptacles 文件：1.71381 Mbytes 页数：12 Pages	APP	APP
PK608BA	文件：769.06 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：769.06 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK608BA	文件：361.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：361.66 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM

技术参数

Package：
PDFN 5x6
Configuration：
Complementary
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
48
RDS(ON)mΩmax at 10V：
9.9
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
14
VGS(th) max：
2.35
Typical Ciss(pF)：
840
Typical Coss(pF)：
150
Typical Crss(pF)：
109
Typical Qg(nC)：
18
Typical Qgd(nC）：
5.3

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