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PK60	文件：50.07 Kbytes Page：2 Pages	MINIBRIDGE 10 AMPERES SINGLE-PHASE FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK AND CHASSIS MOUNTING	edi Electronic devices inc.
PK600BA	文件：334.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
PK600BA	文件：780.71 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司
PK601CA	文件：577.6 Kbytes Page：7 Pages	N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
PK601CA	文件：1.14812 Mbytes Page：11 Pages	N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司
PK601CA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
PK608BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
PK608BA	文件：361.66 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司
PK608BA	文件：769.06 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司
PK608DY	文件：316.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司

技术参数

核心尺寸：
32-位
速度：
100MHz
连接性：
CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，SD，SPI，UART/USART，USB，SB OTG
外设：
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：
100
程序存储容量：
256KB（256K x 8）
程序存储器类型：
闪存
RAM 容量：
64K x 8
电压 - 电源（Vcc/Vdd）：
1.71V ~ 3.6V
数据转换器：
A/D 27x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：
内部
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
144-LBGA
供应商器件封装：
144-MAPBGA（13x13）

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