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PJU18N20	文件：1.20857 Mbytes Page：8 Pages	200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@9A 文件：1.20857 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJU18N20	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (60 - 200V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit
PJU18N20_T0_00001	文件：1.20857 Mbytes Page：8 Pages	丝印：U18N20；Package：TO-251AA；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@9A 文件：1.20857 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
QM18N20D	文件：277.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs 文件：277.53 Kbytes 页数：4 Pages	UPI 力智电子	UPI
SSFP18N20	文件：202.72 Kbytes Page：2 Pages	StarMOST Power MOSFET 文件：202.72 Kbytes 页数：2 Pages	GOOD-ARK 固锝电子	GOOD-ARK
STB18N20	文件：126.95 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.145 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWE 文件：126.95 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

更多PJU18N20供应商更新时间2026-1-30 11:00:00