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SQ6601PT	文件：421.87 Kbytes Page：8 Pages	Off-LineQuasi-ResonanceFlybackSwitchingRegulator Description TheSQ6601PTisahybridICconsistsfrompowerMOSFETandacontrollerIC,designedforIndirectfeed-backQuasi-Resonant(includinglowfrequencyPRC)fly-backconvertertypeSMPS(SwitchingModePowerSupply)applications.thisICrealizeshighefficiency,lownoise,downsizingand	AUK AUK	AUK
SST6601	文件：910.04 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SST6601	文件：613.8 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SST6601-C	文件：826.11 Kbytes Page：7 Pages	NAndP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STM6601	文件：1.29534 Mbytes Page：51 Pages	Smartpush-buttonon/offcontrollerwithSmartResetTMandpower-onlockout Description TheSTM6600-01devicesmonitorthestateofconnectedpush-button(s)aswellassufficientsupplyvoltage.AnenableoutputcontrolspowerfortheapplicationthroughtheMOSFETtransistor,DC-DCconverter,regulator,etc.Ifthesupplyvoltageisaboveaprecisevoltagethreshold,th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STS6601	文件：168.23 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	Samhop 三合微科	Samhop
STS6601	文件：454.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：613.87 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6601	文件：489.77 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
THN6601B	文件：280.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR	TACHYONICSTachyonics CO,. LTD Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
TPC6601	文件：158.39 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconPNPEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6601	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TS6601H	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TS6601HA	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	TactSwitchSeries(6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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更多PJS6601供应商更新时间2024-6-15 14:00:00

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