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PJP100N06SA-AU	文件：459.29 Kbytes Page：6 Pages	丝印：100N06SA；Package：TO-220AB-L；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：459.29 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP100P03	文件：364.36 Kbytes Page：8 Pages	30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V,ID@-20A 文件：364.36 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP100P03_T0_00001	文件：364.36 Kbytes Page：8 Pages	丝印：P100P03；Package：TO-220AB；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V,ID@-20A 文件：364.36 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP10N60	文件：190.06 Kbytes Page：5 Pages	600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 10A , 600V, RDS(ON)=1.0Ω@VGS=10V, ID=5.0A • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS • In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 文件：190.06 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP10N65	文件：244.37 Kbytes Page：6 Pages	650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 10A , 650V, RDS(ON)=1.0Ω@VGS=10V, ID=5.0A • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS • In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 文件：244.37 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP125N06SA-AU	文件：454.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：125N06SA；Package：TO-220AB-L；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：454.1 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP12N65	文件：232.14 Kbytes Page：6 Pages	650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 12A , 650V, RDS(ON)=0.8Ω@VGS=10V, ID=6.0A • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS • In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 文件：232.14 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP13N50	文件：201.49 Kbytes Page：5 Pages	500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 13A , 500V, RDS(ON)=0.52Ω@VGS=10V, ID=6.5A • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS • In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 文件：201.49 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP18N20	文件：1.20857 Mbytes Page：8 Pages	200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@9A 文件：1.20857 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP18N20_T0_00001	文件：1.20857 Mbytes Page：8 Pages	丝印：P18N20；Package：TO-220AB；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@9A 文件：1.20857 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

详细参数

型号：
PJP
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
75V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市柯尔基电子有限公司	PJP75N75	强茂	23+24	TO-220	59630	主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管	询价
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