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PJE8412	文件：385.08 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@350mA 文件：385.08 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8412	文件：326.75 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ??ESD Protected 文件：326.75 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8412	文件：300 bytes Page：1 Pages	LV MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
PJE8412_R1_00001	文件：385.08 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E12；Package：SOT-523；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@350mA 文件：385.08 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8412_V01	文件：385.08 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features  RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@350mA 文件：385.08 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
30
VGS[±V]：
10
ID[A]：
0.35
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
1200
RDS(on) Max. (mΩ)[2.5V]：
1600
RDS(on) Max. (mΩ)[1.8V]：
2300
RDS(on) Max. (mΩ)[1.5V]：
2500
Ciss Typ.[pF]：
34
VGS(th) Max.[V]：
1.1
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
0.87
Package：
SOT-523

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