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PJD8N10

100V N-Channel MOSFET

文件:403.26 Kbytes 页数:8 Pages

PANJIT

強茂

PJD8N10

中压MOSFET (60 - 200V , RDS(ON) < 1Ω)

Panjit

強茂

SSG8N10

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:460.72 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

STD8N10L

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.25 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPEARTING TEMPERATURE ■ APPLICATION

文件:381.25 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STRH8N10

Rad-Hard N-channel 100 V, 6 A Power MOSFET

文件:501.26 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Config.:

    Single

  • VDS[V]:

    100

  • VGS[±V]:

    20

  • ID[A]:

    8

  • RDS(on) Max. (mΩ)[10V]:

    258

  • RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]:

    268

  • Ciss Typ.[pF]:

    378

  • VGS(th) Max.[V]:

    3.5

  • Qg Typ. (nC)[10V]:

    6.7

  • Package:

    TO-252AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PJD8N10供应商 更新时间2026-4-15 11:50:00