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PJD8N10	文件：403.26 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET 文件：403.26 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJD8N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (60 - 200V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit
SSG8N10	文件：460.72 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：460.72 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSG8N10	文件：616.45 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：616.45 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD8N10L	文件：1.01048 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01048 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多PJD8N10供应商更新时间2025-10-13 17:23:00